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所有存储器常遇问题FAQ一-【新闻】固安

发布时间:2021-04-20 12:43:02 阅读: 来源:挂锁厂家

所有存储器常遇问题(FAQ)(一)

问2:是否SDRAM DIMM模块装配了-22 SDRAM芯片就是与PC222兼容?

答:否,带-22SDRAM芯片的SDRAM DIMM模块仅仅支持66MHz系统。该模块不能保证与PC222系统兼容。

为保证模块与PC222兼容,应采用Micro系列标有-8A、-8B、-8C、-8D、-8E的芯片。

配-8A至-8C SDRAM芯片的Micro模块可设定CAS等待为3,以222MHz频率运行。

配-8d或-8e SDRAM芯片的Micro模块可设CAS等待为2,以222MHz频率运行。

请参考厂家的数据手册以确定正确的CAS等待。

问2:经PC233测速的SDRAM是否反过来可以与PC222兼容?

答:是。经过测试,PC233的AC定时指标允许系统总线工作在233MHz频率下。

PC222和PC66的定时技术指标对上述定时要求不严

大多数PC233芯片可以作为PC222和PC66使用。事实上,可以将-75芯片的CAS等待设为2,进行PC222定时。

请参考厂家数据手册,查阅CL=2时的tCK值。

问3:有些存储器模块供应商提供性能设置为3-2-2的PC233模块。请问2-2-2模块有何优点?

答:2-2-2标识中的第一个数字是指CAS等待,因而您的问题是指CAS等待为2与CAS等待为3相比有何优点。

将CL值从3调到2,会缩短从“READ”命令发出至数据到达总线的时间。

根据基准测试的结果,2-2-2设置的性能好于3-2-2设置。

问4:72位和64位存储器有何差别?

答:72位存储器即是通常所说的检错纠错存储器。它多余的8位是用来进行检错和纠错。64位存储器是非ECC存储器。72位和64位的配置通常在268针引脚的DIMM中使用。

36位存储器是通常所说的奇偶存储器。它多余的4位是用来进行奇偶校验。32位和36位的配置通常在72针引脚和32针引脚的SIMM中使用。

问5:2K和4K的SDRAM有何差别?

答:简而言之,没有太大差别。请别急,具体情况下面详述。

SDRAM具有多个内存组。26M的SDRAM有2组;64M有4组。当你讨论SDRAM的行或列地址时,你必须指明它们所在的内存组。因而引发问题:有时供应商把行地址和组地址混为一谈,简单称之为地址。有些供应商把2M x 8的SDRAM说成有22个行地址和2个组地址;而另一些供应商却将它说成有22个地址。这只是寻址。另外,对刷新来说,你还需指明刷新间隔。对分布刷新方式,你只需用刷新循环数来分tREF就可得自动刷新间隔。具体表达为:

地址位数刷新循环数TREF自动刷新间隔222^22=2248=2K32ms32ms/2248=25.6μs

222^22=4296=4K64ms64ms/4296=25.6μs

由此得出结论:分布刷新方式对于二种器件来说是一样的;对脉冲刷新方式32ms的tREF仅是64 ms的一部分。对于一般PC应用,2K的器件已经足够了,4K器件没有任何优势。请注意,这个结论对异步DRAM并不适用。对于异步DRAM来说,2K和4K的寻址确有不同。

问6:缓冲和非缓冲的DIMM有何区别?

答:高密度DIMM配有很多芯片,因此它比低密度的DIMM具有较高的地址和控制信号容量。有些设计者采用再驱动缓冲器放大信号。这比不用缓冲器的相同密度模块来说可以减低系统负载。但是,增加缓冲器会引入信号延迟。

问7:什么是CAS等待?

答:CAS等待是指从发出“读”命令到数据读出之间的时钟周期数。CL值越小表示SDRAM在相同频率下运行的速度越快。

问8:从模块的外观上如何区分SDRAM、EPM、EDO等器件?

答:SDRAM、EDO、FPM从外观上看非常相似。区分它们的最好方法是看芯片的件号。大多数DRAM制造商都有自己的产品参考手册或在自己的网站上公布产品件号。一种从外观判断芯片种类的通用方法是看它的类型和尺寸。EDO和FPM一般均采用SOJ封装,芯片比采用TSOP封装的SDRAM厚。EDO/FPM芯片的件号的末尾通常是-62,而SDRAM件号的末尾通常是-22、-22、-8、-7.5。SDRAM模块在接触片上方有一排电阻或电阻阵列。

问9:什么是刷新速度和自刷新?

答:存储器芯片由很多按行排列的单元组成。刷新过程就是对这些单元进行重新写操作。刷新循环指明了必须刷新行的序列数。一般的刷新周期为2K、4K、8K。刷新循环与刷新周期决定了刷新的频繁程度即:刷新速度。对同样的刷新周期来说,4K刷新比2K刷新需要更高的刷新速度。对同样尺寸的DRAM来说,4K刷新比2K刷新所耗功率更低。有些特殊设计的DRAM具有自刷新功能,它们可以自行进行刷新而与CPU和外部刷新电路无关。由于自刷新是在DRAM内部进行的因而降低了功耗。该技术通常用于笔记本电脑。

问22:EDO DRAM与标准DRAM之间有何差别?

答:根据主板上高速缓冲区(

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